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元件参数资料
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参数目录40298
> ALD1117PAL MOSFET 2P-CH 13.2V 2MA 8PDIP
型号:
ALD1117PAL
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Advanced Linear Devices Inc
描述:
MOSFET 2P-CH 13.2V 2MA 8PDIP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
ALD1117PAL PDF
产品目录绘图
8-Pin Plastic Dip Package
标准包装
50
系列
-
FET 型
2 个 P 沟道(双)
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
13.2V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
1800 欧姆 @ 5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 1µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
500mW
安装类型
通孔
封装/外壳
8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装
8-PDIP
包装
管件
其它名称
1014-1048
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